|
Twitter
|
Facebook
|
Google+
|
VKontakte
|
LinkedIn
|
Viadeo
|
English
|
Français
|
Español
|
العربية
|
 
International Journal of Innovation and Applied Studies
ISSN: 2028-9324     CODEN: IJIABO     OCLC Number: 828807274     ZDB-ID: 2703985-7
 
 
Tuesday 07 July 2020

About IJIAS

News

Submission

Downloads

Archives

Custom Search

Contact

Connect with IJIAS

  Now IJIAS is indexed in EBSCO, ResearchGate, ProQuest, Chemical Abstracts Service, Index Copernicus, IET Inspec Direct, Ulrichs Web, Google Scholar, CAS Abstracts, J-Gate, UDL Library, CiteSeerX, WorldCat, Scirus, Research Bible and getCited, etc.  
 
 
 

Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect


[ Concept de la vitesse de recombinaison surfacique appliqué à la détermination de l’épaisseur optimum de la base de la photopile au silicium avec effet du taux de dopage ]

Volume 27, Issue 3, October 2019, Pages 809–817

 Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect

Masse Samba DIOP1, Hamet Yoro BA2, Ibrahima Diatta3, Youssou TRAORE4, Marcel Sitor DIOUF5, El Hadji SOW6, Oulymata MBALLO7, and Grégoire SISSOKO8

1 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta DIOP, Dakar, Senegal
2 Ecole Polytechnique de Thiès, Département Génie Électromécanique, Senegal
3 Laboratory of Semiconductors and Solar Energy, Physics Department, Faculty of Science and Technology, University Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
4 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta Diop, Dakar, Senegal
5 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta DIOP, Dakar, Senegal
6 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta DIOP, Dakar, Senegal
7 Laboratoire des Semi-conducteurs et d’Energie Solaire, Faculté des Sciences et Techniques, Université Cheikh Anta DIOP, Dakar, Senegal
8 Faculté des Sciences et Techniques, Département de Physique, Université Cheikh Anta DIOP de Dakar, Senegal

Original language: French

Received 19 September 2019

Copyright © 2019 ISSR Journals. This is an open access article distributed under the Creative Commons Attribution License, which permits unrestricted use, distribution, and reproduction in any medium, provided the original work is properly cited.

Abstract


New expressions of back surface recombination of excess minority carriers in the base of silicon solar are expressed dependent of both, the thickness and the diffusion coefficient which is in relationship with the doping rate.

Author Keywords: Silicon solar cell, Surface recombination velocity, Diffusion coefficient, Doping rate, base thickness.


Abstract: (french)


De nouvelles expressions de la vitesse de recombinaison des porteurs minoritaires de charge en face arrière de la base d’une photopile au silicium sont exprimées, en fonction de l’épaisseur et du coefficient de diffusion qui est relié au taux de dopage.

Author Keywords: Photopile au silicium, Vitesse surfacique de recombinaison, Coefficient de diffusion, Taux de dopage, Epaisseur de la base.


How to Cite this Article


Masse Samba DIOP, Hamet Yoro BA, Ibrahima Diatta, Youssou TRAORE, Marcel Sitor DIOUF, El Hadji SOW, Oulymata MBALLO, and Grégoire SISSOKO, “Surface recombination velocity concept as applied to determinate silicon solar cell base optimum thickness with doping level effect,” International Journal of Innovation and Applied Studies, vol. 27, no. 3, pp. 809–817, October 2019.